Обзор сети Интернет

Интернет, социальные сети, популярные сервисы, электронная почта (e-mail) и еще немного информации о web-пространстве современного мира

Главное меню

3D Vertical NAND флэш-память: Samsung начинает массовое производство инновационной памяти


Samsung начинает массовое производство первой в отрасли трехмерной флэш-памяти. Чем характеризуется это инновационное решение?

3D Vertical память Samsung

Источник фото: Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой трехмерной флэш-памяти типа Vertical NAND(3D V-ПАМЯТЬ NAND). Она может найти применение во многих продуктах из категории потребительской электроники, так и в офисе.

Разработанная корейской корпорацией вертикальная структура ячеек памяти на основе технология 3D-Charge Trap Flash (CTF), а также технология процесса вертикальной связи, обеспечивают подключение трехмерных систем ячеек памяти. Благодаря применению этих технологий память 3D Vertical NAND позволяет более чем в два раза уменьшить размер компонентов в сравнении с плоской флэш-памятью класса 20 нм.

После запуска первого в мире массового производства памяти 3D-Vertical NAND мы будем выводить на рынок продукты категории 3D-V-память NAND с лучшими свойствами и большей емкости, что будет способствовать дальнейшему развитию мировой индустрии производства памяти, - сказал представитель компании Samsung.

На протяжении более 40 лет стандартная flash-память использовала плоские структуры. С тех пор, новые технологии производства позволили достичь класс 10 нм, и даже превысить его, но появились проблемы, связанные с пределами миниатюризации, превышение которых приводит к возникновение интерференции между ячейками памяти, которые могут повлиять на надежность продуктов. Такие ограничения кроме того, увеличивают время и стоимость научно-исследовательских работ.

Новая технология Samsung V-память NAND преодолевает технологические проблемы, вступив на новый уровень инноваций в области проектирования схем, структур и производственных процессов, позволяющих проводить эффективную укладку плоских слоев ячеек на новые трехмерные конструкции.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений связанных с новой памятью Samsung - это авторская технология процесса, позволяющая накладывать по вертикали до 24 слоев ячеек памяти, соединяя слои путем их перфорации - от высшего слоя до основы. Благодаря новой вертикальной структуре Samsung может проектировать продукты флэш-памяти NAND большей емкости, увеличивая трехмерные слои клеток без необходимости дальнейшей миниатюризации на плоскости, что в настоящее время стало очень трудно достичь.

После почти 10 лет исследований вертикальной структуры 3D NAND, Samsung стал обладателем более 300 патентных заявок в области 3D памяти.



  • Категория:
  • Рейтинг:
    0.0/0

Никто не решился оставить свой комментарий.
Будь-те первым, поделитесь мнением с остальными.
avatar