Компания Samsung объявила о начале массового производства первой трехмерной флэш-памяти типа Vertical NAND (3D V-ПАМЯТЬ NAND). Она может найти применение во многих продуктах из категории потребительской электроники, так и в офисе.
Разработанная корейской корпорацией вертикальная структура ячеек памяти на основе технология 3D-Charge Trap Flash (CTF), а также технология процесса вертикальной связи, обеспечивают подключение трехмерных систем ячеек памяти.
Благодаря применению этих технологий, память 3D Vertical NAND позволяет более чем в два раза уменьшить размер компонентов в сравнении с плоской флэш-памятью класса 20 нм.
После запуска первого в мире массового производства памяти 3D-Vertical NAND мы будем выводить на рынок продукты категории 3D-V-память NAND с лучшими свойствами и большей емкости, что будет способствовать дальнейшему развитию мировой индустрии производства памяти, – сказал представитель компании Samsung.
На протяжении более 40 лет стандартная flash-память использовала плоские структуры. С тех пор, новые технологии производства позволили достичь класс 10 нм, и даже превысить его, но появились проблемы, связанные с пределами миниатюризации, превышение которых приводит к возникновение интерференции между ячейками памяти, которые могут повлиять на надежность продуктов. Такие ограничения, кроме того, увеличивают время и стоимость научно-исследовательских работ.
Новая технология Samsung V-память NAND преодолевает технологические проблемы, вступив на новый уровень инноваций в области проектирования схем, структур и производственных процессов, позволяющих проводить эффективную укладку плоских слоев ячеек на новые трехмерные конструкции.
Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений связанных с новой памятью Samsung – это авторская технология процесса, позволяющая накладывать по вертикали до 24 слоев ячеек памяти, соединяя слои путем их перфорации – от высшего слоя до основы.
Благодаря новой вертикальной структуре Samsung может проектировать продукты флэш-памяти NAND большей емкости, увеличивая трехмерные слои клеток без необходимости дальнейшей миниатюризации на плоскости, что в настоящее время стало очень трудно достичь.
После почти 10 лет исследований вертикальной структуры 3D NAND, Samsung стал обладателем более 300 патентных заявок в области 3D памяти.
