В нашем руководстве по выбору оперативной памяти мы уже упоминали, что два ключевых параметра, на которые стоит обратить внимание, – это частота и задержка CAS. Обычно этого достаточно для обычных геймеров, которым нужен просто хороший комплект памяти для их процессора. Однако, если вы занимаетесь тонкой настройкой памяти, вам нужно знать гораздо больше, особенно когда речь идёт о таймингах оперативной памяти. В этом руководстве я расскажу о таймингах, чтобы всё стало более понятным.
Тайминги оперативной памяти делятся на три типа в BIOS: первичные, вторичные и третичные. Каждый из них может влиять на производительность по-своему. Однако стоит помнить, что настройка таймингов оперативной памяти не всегда приводит к улучшению производительности. Иногда можно зайти слишком далеко в настройках и потерять стабильность системы, не получив значительных улучшений.
Давайте рассмотрим каждый тип таймингов оперативной памяти и посмотрим, как они могут повлиять на производительность при разгоне.
Первичные тайминги (высокопроизводительное воздействие)
Эти тайминги обычно активно продвигаются на различных маркетинговых площадках, включая обратную сторону упаковки. Первичные тайминги имеют решающее значение и могут напрямую влиять на время отклика и производительность в играх и программном обеспечении.
Задержка CAS (tCL)
Один из ключевых параметров, CL, определяет, насколько быстро оперативная память (ОЗУ) реагирует на запрос данных от центрального процессора (ЦП). Обычно этот параметр обозначается как CL30, CL32 или CL36 и т. д. Чем меньше задержка CAS, тем выше общая производительность.
Для расчёта задержки CAS используется напряжения DRAM. Кроме того, для определения задержки комплекта в наносекундах используется сочетание задержки CAS и частоты.
Задержка RAS-CAS (tRCD)
Задержка RAS (строб доступа к строке) – CAS (строб доступа к столбцу): это второй по важности показатель тайминга RAM.
Когда ЦП запрашивает данные из ОЗУ, памяти необходимо получить доступ к строке (RAS), а затем перейти к столбцу (CAS). Чем ниже значение tRCD, тем быстрее происходит переключение строк в столбцы. Это также может сильно влиять на FPS в играх.
Оно также масштабируется вместе с напряжением, но найти золотую середину гораздо сложнее, чем для tCL.
Время предварительной зарядки строки (tRP)
Как мы уже обсуждали со столбцами и строками для tCL и tRCD, так и TRP контролирует, насколько быстро память может переключаться между активными строками.
Активное время RAS (tRAS)
Он лишь информирует нас о том, как долго следует держать строку открытой, прежде чем её можно будет закрыть. Этот параметр тайминга является четвёртым по значимости, но его влияние на FPS не так велико.
Обычно используется значения tRAPS (tRCD + tRP). Необходимо настроить tRCD и tRP таким образом, чтобы найти оптимальное значение для tRAS.
Вторичные тайминги (умеренное влияние на производительность)
Вторичные тайминги также рекламируются на маркетинговых страницах наряду с основными таймингами; они называются вторичными таймингами, потому что, как следует из названия, они являются вторыми по важности таймингами и не так эффективны, как основные тайминги.
Время восстановления записи (tWR)
Как правило, это способствует эффективности выполнения рабочих задач. Когда данные записываются в строку, требуется некоторое время для завершения операции, прежде чем она будет закрыта, и только после этого начнётся работа со следующей строкой.
Время цикла обновления (tRFC)
tRFC – очень важный тайминг во вторичных таймингах, который всегда настраивается при настройке памяти. Он контролирует, как часто ОЗУ обновляет данные. Он также очень зависит от общей температуры DRAM.
Более низкие значения tRFC полезны и могут хорошо масштабироваться с напряжением VSOC на платформе AMD. tRFC рассчитывается по формуле tRFC (cycles) ÷ (MHz ÷ 2) × 1000 = ns
Длинная задержка RAS-RAS (tRDD_L) и короткая задержка RAS-RAS (tRDD_S)
Эти тайминги очень схожи. Они выполняют одну и ту же функцию, но с разными задачами.
tRDD_L и tRDD_s определяют скорость переключения вашей памяти между доступом к строкам в одном банке памяти. Эти тайминги часто остаются без внимания любителей разгона.
Чтение для предварительной зарядки (tRTP)
tRTP показывает, насколько быстро память может закрыть активную строку. Это время взаимодействует с задержкой tRCD (Row-to-column). В большинстве случаев tRTP составляет примерно половину от tRCD. Более низкие значения tRTP позволяют быстрее проходить по строкам.
Это время также связано с tWR (Write Recovery Time). Как правило, tRTP должно быть примерно в два раза меньше tWR.
Четыре активных окна (tFAW)
Это один из важных вторичных таймингов. tFAW контролирует, сколько активаций строк может произойти в течение определенного периода. Однако, из-за определенных ограничений можно выполнить максимум четыре команды активации.
Например, если tFAW установлен на 40, задержка четырех активных окон составит 24 нс, а если tFAW равен 16, цикл активации составит 10 нс.
tFAW часто работает лучше всего в сочетании с tRRD; tFAW должен быть в 4 раза больше tRRD; если tRRD равен 16, tFAW должен быть равен 4.
Задержка записи CAS (tCWL)
Задержка записи CAS очень похожа на tCL (задержка CAS). CL – это задержка того, как быстро ЦП может считать данные, а CWL (задержка записи CAS) – это то, как быстро он может записать информацию из ЦП.
Третичные тайминги: (почти нет влияния, но стабильность)
Третичные тайминги обычно не рекламируются в маркетинговых пакетах или даже на упаковке ваших наборов памяти. Однако, третичные тайминги могут быть динамическими и сильно различаться на материнской плате или ЦП IMC; когда вы устанавливаете память в свой ПК, платы автоматически настраивают третичные тайминги во время тренировки памяти.
Третичные тайминги не влияют на производительность, но они могут обеспечить стабильность вашей платформы при разгоне памяти.
Интервал обновления (tREFI)
tREFI – это один из ключевых таймингов RAM, который также связан с tRFC (временем цикла обновления).
tREFI представляет собой среднее время между командами обновления. После выполнения команды обновления следует задержка перед следующей командой.
tREFI может существенно улучшить производительность в играх и сократить задержки. Однако, его эффективность сильно зависит от температуры памяти.
Время включения часов (tCKE)
tCKE часто игнорируется при настройке, хотя его значение весьма важно. Он определяет, как быстро память переходит из режима сна в активное состояние. Этот параметр показывает, сколько тактов требуется для пробуждения памяти.
Кроме того, tCKE является одним из параметров, влияющих на энергопотребление модулей оперативной памяти. Если установить tCKE на 1, то память будет отключена от питания, а если на 0 – то включена автоматически.
Задержка между чтением и чтением (tRDRD)
Это задержка между тем, как быстро ваша RAM может переключаться между операциями чтения. Её можно оптимизировать с помощью tFAW и tRRDL для улучшения случайных операций чтения.
Задержка чтения-записи (tRDWR)
Это задержка между тем, как быстро ваша оперативная память может переключаться между операциями чтения и записи.
Задержка от записи к чтению (tWRRD)
Это задержка между тем, как быстро ваша оперативная память может переключаться между операциями записи и чтения.
Задержка между записями (tWRWR)
tWRWR определяет, насколько быстро ваша оперативная память может выполнять последовательные операции записи.
Заключительные мысли о таймингах оперативной памяти
Важно понимать, что не все изменения настроек таймингов приводят к повышению производительности. Более того, слишком агрессивные настройки могут вызвать проблемы, такие как сбои, нестабильность или даже отсутствие реального прироста.
После внесения любых изменений в систему необходимо провести тщательную проверку. Важно помнить, что стабильность работы системы важнее, чем несколько дополнительных баллов в бенчмарке.
Если вы только начинаете разбираться в настройке памяти, начните с основных таймингов и постепенно их оптимизируйте. Если вы почувствуете, что запутались, не переживайте. Для большинства пользователей использование профилей XMP/EXPO обеспечивает более чем достаточную производительность.
